Mi IGBT tranzisztor

Ezzel párhuzamosan a tanulmány tulajdonságainak a félvezetők és javulás eszköz gyártási technológiát alkalmazzuk. Fokozatosan, ahogy egyre több és több elemet, jó teljesítménnyel. Az első IGBT-tranzisztor megjelent 1985-ben, és egyesíti az egyedülálló tulajdonságai a bipoláris és a területen struktúrák. Mint kiderült, a két jól ismert abban az időben, mint a félvezető eszközök meglehetősen „kijönni” a. Azt is alakított szerkezet vált egy innovatív és fokozatosan szert hatalmas népszerűségre a fejlesztők az elektronikus áramköröket. A nagyon betűszó IGBT (szigetelt kapu bipoláris tranzisztorok) beszél létre hibrid áramkörök alapján bipoláris és térvezérlésű tranzisztorok. Így az a képesség, hogy kezelni a nagy áramok a áramkörök kombinált szerkezet nagy bemeneti impedanciájú másik.

Modern IGBT-tranzisztor eltér elődje. Az a tény, hogy a technológia a termelési fokozatosan javul. Mivel az első elem egy ilyen szerkezet alapvető paraméter megváltozott a jobb:

• 
  Kapcsolt feszültség nőtt 1000V a 4500V. Lehetőség van használni tápmodulokat ha dolgozik nagyfeszültségű áramkörökben. Különálló elemek és modulok megbízhatóbb működés induktivitás az áramkört és biztonságosabb ellen impulzus zaj.
• Kapcsolóáram diszkrét elemek nőtt 600A egy különálló, és akár 1800A egy moduláris felépítés. Ez lehetővé tette a kapcsolóáramkörökről nagy teljesítmény és használja IGBT-tranzisztoros dolgozni motorok, fűtőtestek, különböző berendezések, ipari felhasználásra, stb
• Előre feszültségesés a nyitott állapotban esett 1V. Ez a csökkentett hőelnyelő terület és ezzel egyidejűleg csökkenti a meghibásodás kockázatát termikus bontását.
  
• A kapcsolási frekvenciát a modern eszközök eléri a 75 Hz, amely lehetővé teszi azok használatát az innovatív meghajtó vezérlő áramkörök. Különösen, hogy sikeresen használt frekvencia átalakító. Az ilyen eszközök vannak felszerelve PWM vezérlő, amely működik a „kötés” a modul, amelyben a fő eleme - IGBT-tranzisztor. Frekvenciaváltó fokozatosan felváltja a hagyományos elektromos vezérlő áramkört.
• 
  A berendezés teljesítményét is jelentősen nőtt. Modern IGBT tranzisztorok di / dt = 200mks. Ez arra utal, hogy az időnek, hogy kapcsolja ki / be. Összehasonlítva az első mintákat a sebesség ötszörösére nőtt. Növekvő ez a paraméter érinti egy esetleges kapcsolt frekvencia, ami fontos, ha dolgozik az eszközök, amelyek az elvet PWM vezérlő.

Is javult, és az elektronikus áramkörök, amely szabályozza IGBT-tranzisztor. A fő követelmények vonatkoznak rájuk - ez az, hogy biztosítsa a biztonságos és megbízható kapcsoló eszköz. Azt figyelembe kell venni az összes gyenge oldala a tranzisztor, különösen a „félelem” túlfeszültség és a statikus elektromosság.